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池浦 広美*; 関口 哲弘
Japanese Journal of Applied Physics, 58(SI), p.SIIC04_1 - SIIC04_4, 2019/08
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Applied)多結晶クロロアルミニウムフタロシアニン試料の非占有伝導帯の電子構造をCl K殻吸収端近傍のX線吸収分光法(XAS)により調べた。XASスペクトルは全電子収量(TEY)および部分オージェ電子収量(AEY)モードにより測定した。部分AEYスペクトルは光子エネルギーの関数として通常オージェ収量およびスペクテーターCl KL
Lオージェ収量をモニターし測定した。TEYスペクトルはデコンボリューションできないブロードなピーク形状を示した。一方、通常AEYスペクトルおよびスペクテーターAEYスペクトルにおいてCl 1s
*(Cl-Al)遷移は2成分にピーク分割された。これら競合する2つの過程として内殻正孔に局在した内殻励起子および内殻正孔を有しない非局在化した伝導帯が関与すると解釈された。Cl K-edge XASにおいて伝導帯に起因するピークが観測されたことから、伝導帯形成にCl配位子の軸方向が関与していると推察された。実験結果はオリゴマー鎖状(-Al-Cl-Al-)に伝導帯電子移動が起こる可能性があることを示唆した。
池浦 広美*; 関口 哲弘
Molecular Crystals and Liquid Crystals, 622(1), p.50 - 54, 2015/12
被引用回数：0 パーセンタイル：0.01(Chemistry, Multidisciplinary)
積層型有機電導性分子は分子エレクトロニクスへの応用として広く期待されている。もし有機半導体における伝導帯の電子構造の直接観測が行えれば、電導メカニズムの理解が飛躍的に進むと期待される。通常、伝導帯の状態密度の観測には、X線吸収分光(XAS)が用いられる。ここで内殻励起される元素の部分状態密度が観測される。しかしながら、XASでは空軌道の局在性・非局在性の情報を得ることはできない。本研究では、共鳴オージェ電子分光法(RAS)における正孔時計法を電子材料に応用する。非局在化軌道をもつ伝導帯をアト秒領域で高速移動する電子を観測する。本発表ではペンタセン誘導体材料に適用した例をあげ、電子伝導機構を議論する。
小川 博嗣*; 池浦 広美*; 関口 哲弘
Molecular Crystals and Liquid Crystals, 622(1), p.164 - 169, 2015/11
被引用回数：0 パーセンタイル：0.01(Chemistry, Multidisciplinary)放射光X線を用いる各種分光法は、将来 高濃縮廃棄物で発生する水素の再結合触媒等の機能性材料の評価に応用できる可能性がある。本研究ではポリジメチルシラン有機電子材料における空軌道電導性をX線吸収分光(XAS)法 及びSi KLLオージェ分光(RAS)法により調べた。XAS内殻共鳴励起における空軌道の性質に関してDVX
分子軌道法の結果を基に解釈した。RASのX線エネルギー依存性測定によりポリマー主軸に沿った価電子空軌道において高速電子移動が観測された。内殻正孔時計法によりフェムト秒電子移動速度が見積もられた。
江坂 文孝
エキスパート応用化学シリーズ; 機器分析, p.119 - 135, 2015/09
固体試料の分析には、固体内部あるいは全体の平均組成を測定する「バルク分析」が古くから用いられてきた。一方、固体表面の組成や化学構造に着目した分析は「表面分析」と呼ばれ、近年、急速に分析法の開発が進んでいる。固体の表面は、気体や液体との相互作用によりバルクと異なる組成を有する場合が多く、それが物性に与える影響も少なくない。また、材料の電気的特性や強度を向上させることを目的に、材料表面に不純物をドーピングしたり、薄膜を形成させたりするなどして表面組成を意図的に変化させた様々な機能性材料が開発されている。このような材料の開発過程では、その物性の把握とともに表面組成を評価するための分析が必要不可欠である。本解説では、種々の表面分析法について、その原理と特徴を述べる。
赤松 憲; 藤井 健太郎; 横谷 明徳
International Journal of Radiation Biology, 80(11-12), p.849 - 853, 2004/11
被引用回数：11 パーセンタイル：58.51(Biology)放射線エネルギーが生体分子に移動した場合、分子の励起や共有結合の切断を起こすことが知られている。吸収線量と突然変異等の関係についてはこれまで多くの情報の蓄積があるが、付与されたエネルギーと分子損傷の定量・定性関係についてはほとんど知られていない。これを明らかにすることにより線質による放射線影響の相違をさらに明確化できると考えられる。われわれはこれまでに放射光の分光により得られる単色軟X線を用いることでDNA構成分子の特定原子を選択的にK殻励起できることを示してきた。また単色軟X線により光電子やオージェ電子等の二次電子のエネルギーが決まるので、二次電子からのエネルギー付与と分子変化の特徴を抽出して調べることが可能である。本研究では上記目的のための最初のステップとして照射サンプルにチミンを選択した。光子には395, 407, 538eV単色光子及び
Co
線を用いた。分析はEPR法により行った。EPR分析では5-thymil radicalなどの安定ラジカルが同定された。生成したラジカルの種類は用いた光子間で明確な差はなかったが、定量的には違いが認められた。これらの相違はサンプル中に発生する全ラジカル種の密度の違いによるものと考えられる。本発表では生成したラジカル種の定性的性質についても詳細に報告する。
with He川面 澄*; 高広 克巳*; 今井 誠*; 左高 正雄; 小牧 研一郎*; 柴田 裕実*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 205, p.528 - 532, 2003/05
被引用回数：4 パーセンタイル：33.69(Instruments & Instrumentation)東海研タンデム加速器を利用し高エネルギー領域における0度電子分光法により、ヘリウム原子との衝突による、酸素多価イオン(電荷3
から5)からの放出電子スペクトルを測定し、オージェ電子とコスタークロニッヒ電子を同定した。低エネルギー領域においては励起状態は電子捕獲によって励起が起こりやすいが、高エネルギー領域では高励起状態は電子励起で起こりやすい。われわれは低エネルギー衝突による励起と比較し、オージェ電子スペクトルは低エネルギー衝突の場合とは異なっている。コスタークロニッヒ電子スペクトルでも低エネルギーの場合とは異なり、高エネルギー領域では励起状態は比較的低角運動量状態にあることを見いだした。
今井 誠*; 左高 正雄; 北澤 真一; 小牧 研一郎*; 川面 澄*; 柴田 裕実*; 俵 博之*; 東 俊行*; 金井 保之*; 山崎 泰規*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 193(1-4), p.674 - 679, 2002/06
被引用回数：5 パーセンタイル：34.58(Instruments & Instrumentation)タンデム加速器で得られた高速イオウイオンを炭素薄膜に衝突させ、薄膜通過後に放出される電子のエネルギを測定した。Sイオンは核外に数個の電子しか持たない12+と13+イオンを入射し、標的の薄膜は1~10
g/cm
の各種の厚さのものを用いた。2s-2p遷移に基づくコスタークロニッヒ電子に着目すると、電子の放出量は薄膜の厚さにより系統的に変化した。これは入射イオンが固体中で電子を放出するが、その電子はイオンと同速度でイオンとともに運動していながら多重散乱して角運動量を変化していることを表している。
井岡 郁夫; 小貫 薫; 二川 正敏; 栗木 良郎*; 名越 正泰*; 中島 隼人; 清水 三郎
硫酸と工業, 52(4), p.1 - 6, 1999/04
95wt%硫酸及び50wt%硫酸の沸騰環境におけるFe-Si合金の腐食挙動を調べた。合金の耐食性は、硫酸組成に応じて特定のSi含有量にて急変した。合金を不動態化するために必要な臨界組成は、95wt%硫酸では9-10%Si,50wt%硫酸では12-15%Siの範囲に存在する。耐食性合金表面に形成される酸化皮膜をオージェ分光及びX線回折により調べた結果、皮膜は非晶質のSiO
から成り、酸化性の95wt%硫酸中で生成する場合はSを含み、還元性の50wt%硫酸中で生成する場合はSを含まないことが判明した。皮膜成長速度は、母材のSi含有量と硫酸濃度に大きく依存した。
関口 広美*; 関口 哲弘
Surface Science, 433-435, p.549 - 553, 1999/00
被引用回数：26 パーセンタイル：76.83(Chemistry, Physical)SiC材料に関連した系であるSi(100)2
1基板上の単分子吸着ギ酸(HCOO)の構造(結合角)を炭素KVV-オージェ電子収量法によるX線吸収端微細構造(NEXAFS)測定により調べた。NEXAFSスペクトルの各ピーク強度は顕著な偏光角依存性を示した。観測された4本の共鳴ピークは吸着フォルメート(HCOO)の分子面外遷移(
)と3本の分子面内遷移()と帰属された。双極子遷移の選択則からCHO分子面は表面垂直(
100
方向)に対し21
2°傾いていると結論された。電子線回折実験によると気相HCOOSiH
分子のO=C-O-Siの二面体角は21°であり、吸着種のCHO面の傾き角とよく一致している。ギ酸メチル(HCOOCH)では相当するねじれ構造はなく、この違いはSi-O結合にイオン性寄与があることに起因すると示唆された。
竹内 正行; 川野邉 一則*; 永井 崇之; 大橋 和夫; 武田 誠一郎
PNC TN8410 97-104, 56 Pages, 1997/04
(目的)再処理溶液中に腐食生成物として存在するクロム(以下,「Cr」という)を対象に,ステンレス鋼の腐食に与える影響および粒界選択型の腐食加速機構について調査し,特に影響の大きいCr(6)の酸化生成条件等を中心に検討する。(方法)ステンレス鋼の腐食に与えるCrの影響を評価する手法として,材料浸漬試験および電気化学試験を行った。また,粒界腐食の要因とされる微量元素の粒界偏析に関しては,オージェ電子分光法により粒表面および粒界の組成を比較することで評価した。さらに,Crの酸化反応条件について検討するため,硝酸濃度,溶液温度をパラメータとしたCr(3)共存溶液の加熱試験を実施するとともに,溶液のPt電位測定および試験後におけるCr(6)の定量分析等を行った。(結果)本試験の結果から,得られた主な知見を以下に示す。(1)浸漬試験および電気化学試験結果から,同じ元素種でも,Cr(3)に比較して,Cr(6)の共存環境ではステンレス鋼の腐食電位が高電位側に移行し,粒界腐食を伴う腐食速度の著しい増加が認められた。(2)粒界腐食機構の要因とされる微量元素の粒界偏析については,オージェ電子分光法による測定では観察できなかった。(3)180時間程度の加熱試験結果から,沸点の条件では,酸化生成したCr(6)が硝酸濃度4M以上で定量的に検出された。(4)非破壊吸光光度法によるCrを指標としたステンレス鋼の腐食モニタリングで得られた腐食速度は腐食減少量からの算出値より低い値が得られた。(結論)ステンレス鋼の腐食に対するCrの影響はCr(3)に比べて、Cr(6)の共存環境で顕著である。この要因は硝酸よりもポテンシャルの高いCr(6)の酸化作用にあり,Cr(6)は高温,高濃度硝酸環境で酸化生成する可能性が示唆された。
佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之
表面科学, 17(7), p.370 - 374, 1996/07
ストロンチウム化合物のSr2p
4d共鳴に伴うSr-LM
Mオージェ遷移を、放射光により調べた。いずれの物質においても、スペクテータ・オージェ電子エネルギーは励起光エネルギーとともに高エネルギー側へシフトした。また、on-resonanceの近傍ではスペクテータ・オージェ電子ピークのナローイングが起こり、ピーク半値巾は25-40%減少した。これらの現象は、局任化したSr4d軌道に起因するもので、スペクテータ・オージェ電子放出は共鳴ラマン散乱過程であると結論した。
斎藤 祐児; 菅 滋正*; 柿崎 明人*; 松下 智裕*; 今田 真*; 大門 寛*; 小野 寛太*; 藤沢 正美*; 木下 豊彦*; 石井 武比古*; et al.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 78, p.329 - 332, 1996/05
被引用回数：0 パーセンタイル：0.03(Spectroscopy)強磁性体ニッケルの3pおよび3s内殻準位とM
VVオージェ電子とスピン分解光電子分光で調べた。内殻準位については、多重項をとり入れた不純物アンダーソンモデルに基づき解釈することができた。オージェ電子については従来の予想に反して正のスピン偏極度が観測された。また、本構造により高エネルギー側にも正のスピン偏極度が観測された。主に3d
終状態と考えられていた主構造は、3dと3d
終状態が強く混成していることがわかった。主構造より高エネルギー側の正のスピン偏極度は、大きくスピン偏極した2次電子励起に由来するという解釈を初めて行った。
寺岡 有殿; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, (14), P. 422, 1996/00
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設のBL27Aにおいて、シンクロトロン放射光を用いてオージェ電子のエネルギー分析を行った。ほぼ液体窒素温度に冷却したCu(100)の清浄表面にトランス-1,2-ジクロロエチレンの蒸気を吸着させて凝縮相を形成した。塩素の1s軌道からC-Cl結合の反結合性軌道への遷移に対応する強い吸収ピークの近傍でKLLオージェ電子のエネルギーを分析したところ、傍観型オージェ電子のエネルギーが励起エネルギーに比例してシフトするのが観測された。さらにオージェ電子スペクトルの半値幅が共鳴ピーク位置で狭くなることも観測された。このナローイングは傍観型オージェ過程が最終的な2正孔状態の寿命に支配されることを示している。すなわち、傍観型オージェ過程はオージェ共通ラマン散乱であることが明らかになった。
and O ion-implanted Si(100)山本 博之; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉
Surface and Interface Analysis, 23, p.381 - 385, 1995/00
被引用回数：17 パーセンタイル：53.88(Chemistry, Physical)Si(100)表面に5keVのN,Oイオンを注入し、イオン注入層の電子構造についてX線光電子分光法(XPS)、X線励起オージェ電子分光法(XAES)およびX線吸収端微細構造法(XANES)により解析した。O注入の場合、XPS(Si2p),XAES(SiKLL)スペクトルは310
/cm以上でSiから急激にSiOの位置へとケミカルシフトが生じる。またXANESスペクトルでは双極子選択則よりSi2pSi3s,Si2pSi3d,Si2sSi3p遷移による吸収ピークが観測され、いずれも4.510
/cm以上で3~4eV高エネルギー側にシフトする。これらの構造は既報のSiOのスペクトルに類似しており、O注入層がSiとSiOの混合層からなることを示唆する。一方N注入ではこれらのスペクトルのシフトは照射量の増加に従ってゆるやかに生じ、N注入層がSiとSiN
の混合層ではなく、SiとNとのランダムな結合を形成しているものと考えられる。
佐々木 貞吉
表面, 30(11), p.915 - 927, 1992/00
軟X線領域(1.8~6keV)の原子力用ビームラインを利用する放射光光電子分光についてレビューする。主な研究課題はX線光電子回折法、X線誘起オージェ電子分光法、X線近吸収端微細構造法による極表面構造、f電子系における混合原子価状態などであり、研究の現状と展望を紹介する。
I.Kadar*; H.Altevogt*; R.Koehrbrueck*; V.Montemayor*; A.Mattis*; G.Schiwietz*; B.Skogvall*; K.Sommer*; N.Stolterfoht*; 川面 澄*; et al.
Physical Review A, 44(5), p.2900 - 2912, 1991/09
被引用回数：5 パーセンタイル：39.05(Optics)ナトリウム様のアルゴンイオンとイオウイオンの-電子励起状態が0゜電子分光法を用いて調べられた。オージェ電子スペクトルはモノポール、ダイポール、ダイポール励起により2S,2P電子が励起されたことに起因していると同定された。衝突強度を平面波ボルン近似で求め、スペクトルと比較した結果、モノポール励起によるピークは計算値よりかなり大きいことがわかり、配置間相互作用に大きく影響されることを明らかにした。
川面 澄*; 左高 正雄; 楢本 洋; 今井 誠; 小牧 研一郎*; 山崎 泰規*; 黒木 健郎*; 金井 保之*; 神原 正*; 粟屋 容子*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 53(4), p.421 - 425, 1991/04
被引用回数：16 パーセンタイル：83.01(Instruments & Instrumentation)高エネルギー(64MeV、90MeV)多価イオン(S
,S
,Sc
)と原子・固体との衝突において0度方向(ビーム方向)に放出される2次電子のエネルギースペクトルを測定した。そのスペクトルの中で入射イオンから放出される電子に着目して研究を行なった。S、Scイオンからのスペクトル線は2p空孔に起因する遷移による多くの線から構成され、Sイオンからのものは1s2pnlからのコスタークロニッヒ遷移によるスペクトル線で構成されているものと同定された。さらに固体ターゲットと気体ターゲットの違いによるイオンの励起過程の変化、3電子が関与するオージェ過程について議論された。
, N, CO, and CO ion bombardment永井 士郎
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 59-60, p.936 - 939, 1991/00
被引用回数：3 パーセンタイル：50.32(Instruments & Instrumentation)アルミニウム表面に対する0.5~4keVのD、N、CO、及びCOイオンの衝撃による化学反応をオージェ電子分光法及び2次イオン質量分析法により追跡した。アルミニウム箔のDイオン衝撃により、AlD、AlD及びAlDが生成した。これら2次イオンはD雰囲気でのArイオン衝撃によっても生成した。2次イオン収量の経時変化及び衝撃雰囲気・温度依存性から、これら2次イオンの生成は、Dイオンによる逐次表面化学反応から生成するアルミニウム重水素化物に起因するものと結論した。一方、Nイオン衝撃による窒化アルミニウムの生成量は、Nイオンのエネルギーに依存した。窒化アルミニウムによって部分的に覆れたアルミニウム表面は酸素との反応性が著しく高いことを見出した。また、COイオンの衝撃によりアルミニウムの炭化物と酸化物が同時に生成するのに対し、COイオンの衝撃では炭化物が選択的に生成した。
川面 澄*; 左高 正雄; 山崎 泰規*; 小牧 研一郎*; 金井 保之*; 楢本 洋; 黒木 健郎*; 神原 正*; 粟屋 容子*; 中井 洋太; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 48, p.103 - 106, 1990/00
被引用回数：17 パーセンタイル：82.1(Instruments & Instrumentation)原研タンデム加速器を用いて多価イオンの0゜電子分光を行った。64MeVSイオンとHeガス及び炭素薄膜との衝突においてイオンからイオンビーム方向に放出される電子のスペクトルを測定し、Heと炭素薄膜との標的に違いによる変化を研究した。電子スペクトルは多くのピークから成っているが、それらは1S2pnl-1S2sel(n=9~19)のCoster-Kronig遷移によるものと同定された。特にn=9の自動電離に関して、角運動量(l)分布が測定され、炭素薄膜との衝突においてイオンの高いl状態が作られることがわかった。
, CO, O and DO永井 士郎
Journal of Nuclear Materials, 151, p.275 - 280, 1988/00
CO及びCOの雰囲気でアルミナ表面を衝撃してオージェ電子スペクトルを測定した。
